EMC電波暗室是將電磁波吸收體安裝在不受來(lái)自外界電磁波影響且不會(huì)泄漏到外部的金屬板室上，使電磁波不會(huì)在內(nèi)部反射的測(cè)試設(shè)施。它用于無(wú)線(xiàn)設(shè)備和天線(xiàn)的實(shí)驗(yàn)，以及電子設(shè)備的EMI測(cè)量和EMS測(cè)試。

 

　　EMC電波暗室評(píng)價(jià)和校正，主要NAS（歸一化現(xiàn)場(chǎng)衰減特性）和SVSWR（現(xiàn)場(chǎng)電壓駐波比法）進(jìn)行評(píng)估。國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（CISPR16-1-4）規(guī)定了對(duì)30MHz到1GHz以下頻率范圍由NSA特性評(píng)估，1GHz以上頻率由SVSWA法評(píng)估。

 

　　對(duì)于NSA特性，發(fā)射天線(xiàn)和接收天線(xiàn)放置在屏蔽室中，從發(fā)射天線(xiàn)發(fā)出無(wú)線(xiàn)電波，并通過(guò)接收天線(xiàn)測(cè)量此無(wú)線(xiàn)電波以獲得天線(xiàn)之間的損耗。此時(shí)接收天線(xiàn)在1m到4m的范圍內(nèi)變化，以獲得大電場(chǎng)強(qiáng)度。然后改變發(fā)射天線(xiàn)的位置，評(píng)估測(cè)量區(qū)域的特性。標(biāo)準(zhǔn)中以標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)放場(chǎng)地的衰減為參考值，與參考值的偏差在±4dB以?xún)?nèi)，NSA測(cè)試必須在暗室中軸線(xiàn)上測(cè)試為準(zhǔn)。

 

　　SVSWR方法是一種通過(guò)在地板上安裝無(wú)線(xiàn)電波吸收器并使消聲室的6個(gè)側(cè)面不反射來(lái)進(jìn)行評(píng)估的方法。假設(shè)一個(gè)柱狀測(cè)試體，發(fā)射天線(xiàn)的參考位置為F6、C6、L6、R6。L6和R6距離L1和R140厘米。發(fā)射/接收天線(xiàn)的高度應(yīng)為距測(cè)試體積下表面1m或測(cè)試體積中間，在F位置，測(cè)試體積上表面的高度。分別針對(duì)水平極化和垂直極化計(jì)算發(fā)射天線(xiàn)安裝在距基準(zhǔn)位置2cm、10cm、18cm、30cm和40cm的位置時(shí)的接收強(qiáng)度偏差。從發(fā)射天線(xiàn)發(fā)射的無(wú)線(xiàn)電波會(huì)干擾從墻壁等反射的無(wú)線(xiàn)電波，當(dāng)發(fā)射天線(xiàn)的位置發(fā)生變化時(shí)，接收天線(xiàn)可以改變接收電平，CISPR16-1-4標(biāo)準(zhǔn)要求符合站點(diǎn)的大值和小值之間的差異小于6dB。